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Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.
CN
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주요 제품:GaN /SiC/Diamond/AlN/si기질 및 Epi. wafers, 테스트, 가공, 칩, 장비
GaN 단결정 기판
사파이어 플레이크
실리콘 카바이드
알루미늄 질화물
전원 장치용 2-6 인치 도핑되지 않은 GaN 사파이어 웨이퍼
€83.69 - €277.40
Min. Order: 1 개
전원 장치용 2-4 인치 C-평면 도핑되지 않은 독립형 GaN 단결정 기판
€1,927.64 - €2,632.87
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LED 레이저 핀 장치를 위한 4 인치 N 유형 SSP Si-doped GaN-on-Sapphire Epi-wafer
€260.66 - €273.69
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전력 장치를 위한 4 인치 GaN-on-Silicon HEMT Epi-wafer 반도체 물자
€205.80
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Ptoelectronic 장치를 위한 실리콘 에피 택셜 웨이퍼에 4 인치 AlGaN RF GaN
€1,499.80
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RF 6 인치 GaN-on-Silicon Epi-wafer 와이드 밴드 갭 반도체 소재
€3,004.30
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C-평면 2 인치 높은 순도 Al2O3 반도체 사파이어 기판 LED 칩
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A-LED 칩을 위한 평면 2 인치 높은 순수성 반도체 사파이어 기질
€3.95
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힘과 마이크로파 장치를 위한 6 인치 N 유형 P-MOS/P-SBD/D 급료 4H-SiC 기질
€511.15 - €536.70
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LED용 4 인치 Z 레벨 SiC 기판 4H-SI-500um +-25um 반도체
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P 수준/D 수준 4 인치 4H-SiC 기질 반 격리 SI 반도체 물자
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2 인치 P 레벨 SiC 전력 및 마이크로파 장치용 기판 반도체 재료
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전원 및 마이크로파 장치 용 고품질 2 인치 P 레벨 실리콘 기판
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UV 소독 LED 칩 3 ~ 4um DSP 2 인치 AIN-on-Sapphire 템플릿 반도체
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고품질 반도체 10*10 mm2 P-등급 독립형 AlN 기판
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P-등급 1 인치 질화 알루미늄 단결정 독립형 AlN 웨이퍼 반도체
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전원 장치용 2-6 인치 도핑되지 않은 GaN 사파이어 웨이퍼
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전원 장치용 2-4 인치 C-평면 도핑되지 않은 독립형 GaN 단결정 기판
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전원 장치용 2-6 인치 도핑되지 않은 GaN 사파이어 웨이퍼
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€511.15 - €536.70
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PCB microelectronic를 위한 VP-10D 의 이점 플라스마 세탁기술자 장비
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€260.66 - €273.69
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10*10 mm2 P-레벨 Sn-doped SSP 독립형 Ga2O3 기판 프라임 등급
€1,225.89 - €1,287.10
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