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Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.
CN
2YRS
Productos principales:GaN /SiC/Diamond/AlN/sisubstrato y WAFS., prueba, procesamiento, Chips, equipo
GaN de cristal único sustrato
Zafiro de
Carburo de silicio
De aluminio de nitruro de
Oblea de zafiro GaN sin dopar de 2-6 pulgadas para dispositivo eléctrico
VND 2,264,821 - VND 7,506,989
Min. Order: 1 pieza
Sustrato de cristal único GaN independiente no dopado de plano C de 2-4 pulgadas para Dispositivo de potencia
VND 52,167,207 - VND 71,252,771
Min. Order: 1 pieza
PIN láser LED, 4 pulgadas, tipo N, SSP, Si-doped, GaN-on-Sapphire, epi-wafer
VND 7,054,025 - VND 7,406,726
Min. Order: 5 piezas
GaN-on-Silicon HEMT epi-wafer, material semiconductor de 4 pulgadas para dispositivo de energía
VND 5,569,422
Min. Order: 5 piezas
Allan RF GaN de 4 pulgadas, oblea epitaxial de silicona para dispositivo ptoelectrónico
VND 40,588,632
Min. Order: 2 piezas
Gap-material semiconductor RF 6 pulgadas GaN-on-Silicon epi-wafer, banda ancha
VND 81,304,501
Min. Order: 1 pieza
C-plane-sustrato de zafiro semiconductor para chip LED, 2 pulgadas, alta pureza, Al2O3
VND 178,132 - VND 254,475
Min. Order: 10 piezas
C-plane-sustrato de zafiro semiconductor Al2O3 de alta pureza, 8 pulgadas, para chip LED
VND 5,598,432 - VND 6,489,092
Min. Order: 12000 piezas
A-Plane-sustrato de zafiro semiconductor de alta pureza, 2 pulgadas, para chip LED
VND 106,880
Min. Order: 12000 piezas
Sustrato de 6 pulgadas tipo N, P-MOS/P-SBD/D, grado 4H-SiC, para dispositivos de energía y microondas
VND 13,832,962 - VND 14,524,369
Min. Order: 5 piezas
4 pulgadas Z-nivel Sistrate Strate ustrato 4H-SI-500um +-25um semiconductores para LD D
VND 32,063,747
Min. Order: 1 pieza
Nivel P/nivel D, 4 pulgadas, sustrato 4H-SiC, semiaislante, material semiconductor
VND 25,243,839 - VND 28,043,055
Min. Order: 3 piezas
Material semiconductor de ubstrato, 4 pulgadas
VND 14,988,530 - VND 15,701,057
Min. Order: 1 pieza
Material semiconductor de ubstrato para potencia y dispositivo de microondas, 2 pulgadas, nivel iistrate
VND 13,487,132 - VND 13,996,080
Min. Order: 5 piezas
Sustrato de ilicón de nivel P de 2 pulgadas de alta calidad para potencia y dispositivo de microondas
VND 13,232,658
Min. Order: 5 piezas
Chip LED de desinfección UV, DSP, 3 ~ 4um, 2 pulgadas, con plantilla de zafiro, semiconductor
VND 10,051,731
Min. Order: 5 piezas
IGH calidad semiconductor 10*10 mm2 P ade Rade Freestanding AlN ububstrato
VND 62,778,781
Min. Order: 1 pieza
IGH calidad semiconductor 10*10 mm2 R ade Rade Freestanding AlN ububstrato
VND 55,704,399
Min. Order: 1 pieza
Rade-cristal único de nitruro luminum de 1 pulgada, reestandamiento lN oblea semiconductor
VND 134,744,079 - VND 136,525,398
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Semiconductor de nitruro de aluminio de 1 pulgada, cristal individual, sustrato AlN independiente
VND 119,857,339 - VND 121,384,184
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Listo para nave
Oblea de zafiro GaN sin dopar de 2-6 pulgadas para dispositivo eléctrico
VND 2,264,821 - VND 7,506,989
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Sustrato de cristal único GaN independiente no dopado de plano C de 2-4 pulgadas para Dispositivo de potencia
VND 52,167,207 - VND 71,252,771
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Oblea de silicona personalizada, 2-12 pulgadas, tipo N, semiconductor
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Semiconductor de 2 pulgadas tipo N SSP, doped, GaN on Sapphire epi-wafer, para LED
VND 2,621,085 - VND 2,748,322
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DSP/SSP 2-6 pulgadas GaN en zafiro Epi-oblea de material semiconductor
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Sustrato GaN para dispositivo RF, 10,0x10,5 mm2, plano C
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VND 9,033,834
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Microled azul, 6 pulgadas, SSP, GaN-on-Sapphire, epi-wafer, gan semiconductor para pantalla
VND 15,726,505 - VND 15,980,979
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Micro LED azul, 4 pulgadas, SSP, GaN-on-Sapphire, epi-wafer para comunicación de luz visible
VND 9,364,650
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Oblea de zafiro GaN sin dopar de 2-6 pulgadas para dispositivo eléctrico
VND 2,264,821 - VND 7,506,989
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Sustrato de cristal único GaN independiente no dopado de plano C de 2-4 pulgadas para Dispositivo de potencia
VND 52,167,207 - VND 71,252,771
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Sustrato de 6 pulgadas tipo N, P-MOS/P-SBD/D, grado 4H-SiC, para dispositivos de energía y microondas
VND 13,832,962 - VND 14,524,369
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C-plane-sustrato de zafiro semiconductor para chip LED, 2 pulgadas, alta pureza, Al2O3
VND 178,132 - VND 254,475
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Equipo de limpiador de Plasma para PCB, VP-10D, microelectrónico
VND 254,474,154,553
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PIN láser LED, 4 pulgadas, tipo N, SSP, Si-doped, GaN-on-Sapphire, epi-wafer
VND 7,054,025 - VND 7,406,726
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GaN-on-Silicon HEMT epi-wafer, material semiconductor de 4 pulgadas para dispositivo de energía
VND 5,569,422
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Sustrato Ga2O3, nivel de calidad superior, 10x10mm
VND 33,175,799 - VND 34,832,426
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